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深圳市金城微零件有限公司
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产品分类
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产品信息
产品型号:AP4435GH
特点：
* 简单的驱动要求
* 低导通电阻
* 快速开关特性
* 符合RoHS及无卤素
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):-40
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):-3
功率PD(W):44.6
输入电容Ciss(PF):1160 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s)：31
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):7.5 typ.
上升时间Tr(ns):64 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):24 typ.
下降时间Tf(ns):94 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:-30V,-40A N-沟道增强型场效应晶体管
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