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产品信息
数据列表BSC117N08NS5;
标准包装 5,000包装 标准卷带 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列OptiMOS™
规格FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)80V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)49A(Tc)驱动电压( Rds On, Rds On)6V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)11.7 毫欧 @ 25A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)3.8V @ 22μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)18nC @ 10VVgs(值)±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)1300pF @ 40VFET 功能-功率耗散(值)2.5W(Ta),50W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装PG-TDSON-8封装/外壳8-PowerTDFN